RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
51
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3483
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Corsair CML8GX3M1A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link