RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
48
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
48
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
1858
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link