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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
48
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
48
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2711
1858
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
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