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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
41
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
2987
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calculate
Absolute Latency
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