RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
2987
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link