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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
81
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
81
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
1651
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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