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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
81
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.6
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
81
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
1651
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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