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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
81
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.5
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.6
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
81
Velocidade de leitura, GB/s
7.7
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
5.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1130
1651
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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