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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
81
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.5
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.6
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
81
读取速度,GB/s
7.7
8.5
写入速度,GB/s
5.0
5.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
1651
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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