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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
28
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
28
读取速度,GB/s
17.7
17.6
写入速度,GB/s
13.1
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
3705
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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