RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2308
2609
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link