RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2308
2609
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link