RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3061
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link