RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3061
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link