RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,013.5
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
68
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
3731
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link