RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
77
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link