RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
77
Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link