RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de 46% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
68
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2007
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link