RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
92
Autour de -171% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3606
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link