RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
92
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3606
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link