RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
92
Autour de -229% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3010
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link