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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
92
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
28
读取速度,GB/s
2,105.4
16.1
写入速度,GB/s
1,266.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
3010
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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