RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
92
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2967
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link