RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
92
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2967
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link