RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
92
99
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
99
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1499
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link