RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
92
Autour de -179% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3286
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link