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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
50
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2431
2424
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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