RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
36
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
3126
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link