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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
36
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
31
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3126
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
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