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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
14.9
15.3
写入速度,GB/s
9.5
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3126
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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