RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de -38% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
6.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1970
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link