RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1970
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link