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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
54
Autour de -42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2841
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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