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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
54
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
2841
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
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