RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2841
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link