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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,636.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
68
Autour de -127% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,540.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,636.8
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
827
3106
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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