RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
72
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2417
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link