RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
72
Autour de -106% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2488
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link