RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
72
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2488
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link