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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
72
Intorno -106% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
1,938.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
72
35
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,938.7
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
677
2488
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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