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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
72
Autour de -157% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
3419
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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