RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
72
Intorno -157% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,938.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
72
28
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,938.7
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
677
3419
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link