RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
72
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
1,938.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,241.0
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,938.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
677
2349
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaison des RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link