RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
72
Около -125% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,938.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
10.8
Скорость записи, Гб/сек
1,938.7
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
677
2349
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link