RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
72
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
1,938.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
72
32
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,938.7
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
677
2349
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link