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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2036
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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