Comparación de la memoria RAM Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Puntuación global

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

29 42

En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

12.2 9.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.8 6.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1396 2036

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns