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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 29
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.8 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 8.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1822 left arrow 2036

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Memoria RAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Memoria RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Memoria RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Memoria RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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