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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
2036
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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