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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
2036
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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