RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
119
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.7
1.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
2.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
119
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
1.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
2.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
447
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link