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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
42
Autour de -8% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
7.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1683
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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